全碳化硅半桥MOSFET模块
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基本?PcoreTM2 E2B 全碳化硅半桥MOSFET模块-工业级全碳化硅功率模块-倾佳电子专业分销

PcoreTM2 E2B 全碳化硅半桥MOSFET模块BMF240R12E2G3-倾佳电子专业分销

适用于液冷充电桩电源的SiC碳化硅MOSFET模块-倾佳电子专业分销

适用于三相三电平维也纳PFC的SiC碳化硅MOSFET模块-倾佳电子专业分销

碳化硅（SiC）功率模块在工业市场有许多应用。这些模块通常用于提高电能转换和控制系统的效率，同时在高温和高频率环境下表现良好。以下是碳化硅功率模块在工业市场中的一些主要应用：

电机驱动和控制： 碳化硅功率模块可用于工业电机驱动系统，提供高效率和高功率密度，降低能源损耗。

电源和逆变器： 在工业设备中，SiC功率模块可用于设计高效率的电源和逆变器，适用于工业自动化、机床和其他高功率应用。

可再生能源系统： 碳化硅功率模块在太阳能逆变器和风力发电系统中得到广泛应用，提高了能源转换效率。

焊接设备： 在工业焊接系统中，SiC功率模块可以提供更高的功率密度、更高的频率响应和更高的效率。

电力传输与分配： SiC功率模块可用于电力输配系统，提供高效的电力转换和分配。

电气化交通： 在高速列车和电动汽车中，碳化硅功率模块可以提供更高的功率密度，减轻设备重量，提高系统效率。

工业加热系统： 在高温加热系统中，SiC功率模块可以提供更高的温度稳定性和更高的效率。

这些应用表明碳化硅功率模块在工业环境中能够提供更高效、更可靠的解决方案，有助于提高系统性能并减少能源消耗。

BASiC基本?第二代SiC碳化硅MOSFET两大主要特色：

1.出类拔萃的可靠性：相对竞品较为充足的设计余量来确保大规模制造时的器件可靠性。

BASiC基本?第二代SiC碳化硅MOSFET 1200V系列击穿电压BV值实测在1700V左右，高于市面主流竞品，击穿电压BV设计余量可以抵御碳化硅衬底外延材料及晶圆流片制程的摆动，能够确保大批量制造时的器件可靠性，这是BASiC基本?第二代SiC碳化硅MOSFET最关键的品质.

2.可圈可点的器件性能：同规格较小的Crss带来出色的开关性能。

BASiC基本?第二代SiC碳化硅MOSFET反向传输电容Crss 在市面主流竞品中是比较小的，带来关断损耗Eoff也是市面主流产品中非常出色的，优于部分海外竞品，特别适用于LLC应用.

Ciss：输入电容（Ciss＝Cgd＋Cgs） ?栅极-漏极和栅极-源极电容之和：它影响延迟时间；Ciss越大，延迟时间越长。BASiC基本?第二代SiC碳化硅MOSFET 优于主流竞品。

Crss：反向传输电容（Crss＝Cgd） ?栅极-漏极电容：Crss越小，漏极电流上升特性越好，这有利于MOSFET的损耗，在开关过程中对切换时间起决定作用，高速驱动需要低Crss。

Coss：输出电容（Coss＝Cgd＋Cds）?栅极-漏极和漏极-源极电容之和：它影响关断特性和轻载时的损耗。如果Coss较大，关断dv／dt减小，这有利于噪声。但轻载时的损耗增加。

基本?B2M第二代碳化硅MOSFET器件主要特色：

? 比导通电阻降低40%左右

? Qg降低了60%左右

? 开关损耗降低了约30%

? 降低Coss参数，更适合软开关

? 降低Crss，及提高Ciss/Crss比值,降低器件在串扰行为下误导通风险

? *工作结温175℃? HTRB、 HTGB+、 HTGB-可靠性按结温Tj=175℃通过测试

? 优化栅氧工艺，提高可靠性

? 高可靠性钝化工艺

? 优化终端环设计，降低高温漏电流

? AEC-Q101

基本?推出工业级全碳化硅MOSFET功率模块Pcore?2 E2B，BMF240R12E2G3基于高性能 6英寸晶圆平台设计，在比导通电阻、开关损耗、抗误导通、抗双极性退化等方面表现出色。

BMF240R12E2G3可以替代英飞凌FF4MR12W2M1H_B70，FF6MR12W2M1HP_B11，

FF6MR12W2M1H_B11，安森美NXH006P120MNF2，wolfspeed的CAB006A12GM3T，CAB006M12GM3T，CAB006M12GM3，CAB006A12GM3。

产品优势

- 更稳定导通电阻

新型内部构造极大抑制了碳化硅晶体缺陷引起的Rds(on)波动。

- 更优异抗噪特性

宽栅-源电压范围（Vgss: -10V~+25V），及更高阈值电压范围（Vth: 3V~5V），便于栅极驱动设计。

- 更高可靠性

高性能氮化硅AMB陶瓷基板及高温焊料引入，改善长期高温度冲击循环的CTE失配。

应用领域：燃料电池DCDC、数据中心UPS、大功率快速充电桩等。

倾佳电子专业分销基本?国产车规级碳化硅(SiC)MOSFET，国产车规级AEC-Q101碳化硅(SiC)MOSFET，国产车规级PPAP碳化硅(SiC)MOSFET，全碳化硅MOSFET模块，Easy封装全碳化硅MOSFET模块，62mm封装全碳化硅MOSFET模块，Full SiC Module，SiC MOSFET模块适用于超级充电桩，V2G充电桩，高压柔性直流输电智能电网(HVDC)，空调热泵驱动，机车辅助电源，储能变流器PCS,光伏逆变器,超高频逆变焊机，超高频伺服驱动器，高速电机变频器等，光伏逆变器专用直流升压模块BOOST Module，储能PCS变流器ANPC三电平碳化硅MOSFET模块，光储碳化硅MOSFET。专业分销基本?SiC碳化硅MOSFET模块及分立器件，全力支持中国电力电子工业发展！

汽车级全碳化硅功率模块是BASiC基本?为新能源汽车主逆变器应用需求而研发推出的系列MOSFET功率模块产品，包括Pcore?6?汽车级HPD模块、?Pcore?2?汽车级DCM模块、?Pcore?1?汽车级TPAK模块、Pcore?2?汽车级ED3模块等，采用银烧结技术等BASiC基本?*的碳化硅 MOSFET 设计生产工艺，综合性能达到国际先进水平，通过提升动力系统逆变器的转换效率，进而提高新能源汽车的能源效率和续航里程。主要产品规格有：BMS800R12HWC4_B02，BMS600R12HWC4_B01，BMS950R12HWC4_B02，BMS700R12HWC4_B01，BMS800R12HLWC4_B02，BMS600R12HLWC4_B01，BMS950R12HLWC4_B02，BMS700R12HLWC4_B01，BMF800R12FC4，BMF600R12FC4，BMF950R08FC4，BMF700R08FC4，BMZ200R12TC4，BMZ250R08TC4

倾佳电子专业分销BASiC基本?碳化硅(SiC)MOSFET专用双通道隔离驱动芯片BTD25350，原方带死区时间设置，副方带米勒钳位功能，为碳化硅功率器件SiC MOSFET驱动而优化。

BTD25350适用于以下碳化硅功率器件应用场景：

充电桩中后级LLC用SiC MOSFET 方案

光伏储能BUCK-BOOST中SiC MOSFET方案

高频APF，用两电平的三相全桥SiC MOSFET方案

空调压缩机三相全桥SiC MOSFET方案

OBC后级LLC中的SIC MOSFET方案

服务器交流侧图腾柱PFC高频臂GaN或者SiC方案

碳化硅MOSFET具有优秀的高频、高压、高温性能，是目前电力电子领域最受关注的宽禁带功率半导体器件。在电力电子系统中应用碳化硅MOSFET器件替代传统硅IGBT器件，可提高功率回路开关频率，提升系统效率及功率密度，降低系统综合成本。适用于高性能变换器电路与数字化先进控制、高效率 DC/DC 拓扑与控制，双向 AC/DC、电动汽车车载充电机（OBC）/双向OBC、车载电源、集成化 OBC ，双向 DC/DC、多端口 DC/DC 拓扑与控制，直流配网的电力电子变换器。

基本?第二代碳化硅MOSFET系列新品基于6英寸晶圆平台进行开发，比上一代产品在比导通电阻、开关损耗以及可靠性等方面表现更为出色。在原有TO-247-3、TO-247-4封装的产品基础上，基本?还推出了带有辅助源极的TO-247-4-PLUS、TO-263-7及SOT-227封装的碳化硅MOSFET器件，以更好地满足客户需求。

基本?第二代碳化硅MOSFET亮点

更低比导通电阻：第二代碳化硅MOSFET通过综合优化芯片设计方案，比导通电阻降低约40%，产品性能显著提升。

更低器件开关损耗：第二代碳化硅MOSFET器件Qg降低了约60%，开关损耗降低了约30%。反向传输电容Crss降低，提高器件的抗*能力，降低器件在串扰行为下误导通的风险。

更高可靠性：第二代碳化硅MOSFET通过更高标准的HTGB、HTRB和H3TRB可靠性考核，产品可靠性表现出色。

更高工作结温：第二代碳化硅MOSFET工作结温达到175°C，提高器件高温工作能力。