为什么碳化硅MOSFET会取代IGBT?2023/12/28

为什么碳化硅MOSFET会取代IGBT?

碳化硅MOSFET和IGBT都是功率器件，但它们具有不同的特性。碳化硅MOSFET具有更高的开关速度、更低的导通电阻、更高的耐压和更高的结温，因此在高频、高压和高功率应用中具有优势。IGBT具有更高的可靠性和更高的抗短路能力，因此在一些特殊应用中仍具有优势。

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从目前来看，碳化硅MOSFET在以下应用中已经开始取代IGBT：

电动汽车：碳化硅MOSFET可以显著提高电动汽车的效率和续航里程，因此在电动汽车的牵引逆变器中得到了广泛应用。

光伏发电：碳化硅MOSFET可以提高光伏发电系统的效率和功率密度，因此在光伏逆变器中得到了广泛应用。

轨道交通：碳化硅MOSFET可以提高轨道交通系统的效率和可靠性，因此在轨道交通的变流器中得到了广泛应用。

随着碳化硅MOSFET技术的不断发展和成本的不断降低，碳化硅MOSFET将在更多的应用中取代IGBT。

具体来说，碳化硅MOSFET在以下方面具有优势：

开关速度：碳化硅MOSFET的开关速度是IGBT的2-3倍，这意味着碳化硅MOSFET可以实现更高的开关频率，从而降低功率损耗。

导通电阻：碳化硅MOSFET的导通电阻是IGBT的1/3左右，这意味着碳化硅MOSFET可以降低功耗。

耐压：碳化硅MOSFET的耐压可以达到IGBT的2-3倍，这意味着碳化硅MOSFET可以应用于更高电压的场合。

结温：碳化硅MOSFET的结温可以达到IGBT的2倍以上，这意味着碳化硅MOSFET可以应用于更高温度的场合。

当然，碳化硅MOSFET也存在一些不足，例如：

成本：碳化硅MOSFET的成本目前仍高于IGBT。

可靠性：碳化硅MOSFET的可靠性与IGBT相比仍存在一定差距。

随着技术的不断发展和成本的不断降低，碳化硅MOSFET的优势将更加明显，取代IGBT的趋势将更加明显。

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倾佳电子专业分销BASiC基本?碳化硅(SiC)MOSFET专用双通道隔离驱动芯片BTD25350，原方带死区时间设置，副方带米勒钳位功能，为碳化硅功率器件SiC MOSFET驱动而优化。

BTD25350适用于以下碳化硅功率器件应用场景：

充电桩中后级LLC用SiC MOSFET 方案

光伏储能BUCK-BOOST中SiC MOSFET方案

高频APF，用两电平的三相全桥SiC MOSFET方案

空调压缩机三相全桥SiC MOSFET方案

OBC后级LLC中的SIC MOSFET方案

服务器交流侧图腾柱PFC高频臂GaN或者SiC方案

倾佳电子专业分销的BASiC基本?第二代SiC碳化硅MOSFET两大主要特色：

1.出类拔萃的可靠性：相对竞品较为充足的设计余量来确保大规模制造时的器件可靠性。

BASiC基本?第二代SiC碳化硅MOSFET 1200V系列击穿电压BV值实测在1700V左右，高于市面主流竞品，击穿电压BV设计余量可以抵御碳化硅衬底外延材料及晶圆流片制程的摆动，能够确保大批量制造时的器件可靠性，这是BASiC基本?第二代SiC碳化硅MOSFET最关键的品质.

2.可圈可点的器件性能：同规格较小的Crss带来出色的开关性能。